Сайт Проекта

  "Рисуя Минералы..."

   

Морфология и онтогения минеральных агрегатов

Формы зарождения и роста кристаллов и минеральных агрегатов

 

 

     В этом разделе показаны лишь некоторые из многих примеров тех признаков, которые, сохранившись в строении кристаллов и минеральных агрегатов, запечатлели процесс их роста и могут указывать на те или иные условия, при которых зарождалась и протекала кристаллизация. По соображениям прежде всего наглядности выбраны те из них, которые можно наблюдать и выразитель но показать на макруровне.
     Для онтогении минералов, как науки исторического плана, базирующейся на реконструкции явлений и процессов по сохранившимся свидетельствам о них в деталях строения индивидов и агрегатов, черезвычайно важны морфологические признаки, по которым можно судить об условиях, истории зарождения и роста, последовательности кристаллизации минералов и тд. - признаки, ╚записанные╩, по Д.П.Григорьеву (1961), как на самих кристаллах (на поверхности граней, индукционных и иных поверхностях соприкосновения минеральных зёрен и многое другое), так и во внутренней ╚анатомии╩ кристаллов. При внимательном изучении и анализе признаки эти служат важнейшим источником генетической информации. Поскольку минералы растут поверхностью образуемых ими физических тел, то в особенностях поверхностей, эти тела ограничивающих, прежде прочего и фиксируется информация об условиях роста. А исходя из того, что, как было особо подчеркнуто Д.П. Григорьевым, ╚весь объём кристалла, любой его участок, был когда-то его поверхностью╩, - строение (как вешнее, так и внутреннее) самого кристалла является основным источником информации о его генезисе.
     Эпитаксия - закономерное нарастание кристаллов одного минерала на кристаллы другого. Эпитаксия происходит таким образом, чтобы суммарная энергия границы, состоящей из участков подложка-кристалл, кристалл-среда и подложка-среда, была минимальной. Собственно эпитаксические сростки возникают, когда один минерал нарастает на уже образованный кристалл другого минерала. Таким образом оба кристалла образуются в разное время. Примером эпитаксических сростков являются нарастания альбита на микроклин, часто встречающиеся в пегматитах. Если один кристалл образует вростки в другом, то такие образования принято называть эндотаксическими. Визуально закономерность нарастания наблюдается в результате совпадения или близости определённых плоскостей в кристаллических решетках минералов.
     Автоэпитаксия (гомоэпитаксия) - процесс ориентированного наращивания кристаллического вещества, одинакового по структуре и не отличающегося химически (или отличающегося незначительно) от вещества подложки. Автоэпитаксией называется процесс ориентированного нарастания вещества на своем монокристалле. В широком смысле этот термин эквивалентен обычному росту монокристаллов, однако если образующиеся при автоэпитаксии слои обладают иными свойствами по сравнению с кристаллом-затравкой, то понятия автоэпитаксии и продолжение роста монокристалла не являются тождественными. Изучение автоэпитаксии интересно потому, что она является наиболее распространенным видом кристаллизации.
     Эта страничка не претендует на полноту освещения вопроса, который неоднократно рассматривался в специальных исследованиях. Явления зарождения и роста кристаллов достаточно глубоко и разносторонне изучены и освещены основателями и классиками российской минералогической школы, такими как А.В. Шубников, Г.Г.Леммлейн, И.И.Шафрановский, Д.П.Григорьев, Ю.М.Дымков, В.А.Попов и др. A.M.Асхабов внёс значительный вклад в проблему генетической интерпретации характеристик роста кристаллов и в раскрытие закономерностей и условий природного кристаллообразования.
     Содержание этого раздела ограничено более скромной задачей - показать занятные и наглядные  примеры лишь некоторых из многих проявлений процессов природного роста кристаллов.

 
 

 

 

   
Сера самородная. Автоэпитаксический параллельный сросток, 4см. Водинское месторождение, Поволжье Эпитаксия. Закономерно ориентированное зарождение и рост халькопирита на сфалерите. Образец 5см., Дальнегорск  

 
Кальцит, двойник прорастания с эпитаксически наросшими ромбоэдрами позднего зарождения. Кристалл 3см. Эффузивный массив Кара-Даг, Крым. Фото:╘ В.Слётов Кальцит, 7см.  Автоэпитаксия при смене габитусных форм, - ориентированное обрастание ромбоэдрами поздней генерации скаленоэдров ранней. Присыпки - пирит. Белореченское м-ние. Фото:╘ В.Слётов  
 

 

 

 
Флюорит, 7см. ╚Фантомный╩ кристалл, зоны роста подчёркнуты присыпками пирита, захваченными кристаллом во время роста. Месторождение Магоф, Таджикистан. Фото:╘ В.Слётов Флюорит с тонкими присыпками кварца, экранирующими рост центральных участков граней. Монголия.Фото:╘ В.Слётов  
 

 

 

 
Барит. Фантомный кристалл, возникший при резкой смене габитусных форм роста. 4см. Кадамджай, Киргизия Барит, 5см. Возникновение фантомного кристалла с переходом к многоглавому росту при смене габитусных форм. Кадамджай  
   
Галенит, ╚индукционная╩ поверхность совместного одновременного роста с кальцитом (кальцит растворён). Со сфалеритом и халькопиритом. Дальнегорск.
Формы совместного одновременного роста сферолитов геденбергита (зелёный) и волластонита (кремовый). Полированый срез, поле 5см. Дальнегорск. Фото:╘ В.Слётов  
 
Скульптуры роста. Плоские слои нарастания на грани куба кристалла галенита. Поле 6см.  Дальнегорск, Приморье. Фото:╘ В.Слётов Галенит. Конуса роста на гранях октаэдра и ступени роста на гранях куба. С кальцитом, образец 11см. Дальнегорск Фото:╘ В.Слётов  
 

 
Тетраэдрит, 5см. Скульптуры роста на грани кристалла. Берёзовское месторождение, Ср.Урал, находка 1968 г. Арагонит. Футлярообразная форма кристалла как следствие обрастания препятствия в центре пинакоида. 3см., Испания. Фото:╘ В.Слётов  

 
Доломит. Блочные кристаллы, расщепляющиеся и закручивающиеся при росте. С данбуритом, 12см. С-В Памир. Фото:╘ В.Слётов  

 
Светлый аметист двух генераций. Автоэпитаксия со скипетровидным нарастанием второй генерации на вершинах (ромбоэдрах) и блочно-мозаичным - на гранях призмы. Второй ракурс демонстрирует также обрастание одним из боковых кристаллов препятствия (кристалл халькопирита). Образец 10см. Дашкесан  

 

 
Скульптуры роста на грани призмы берилла. ~6см. Пакистан Церуссит. Локальные элементы скелетного роста на гранях кристалла Образец 4см. Респ. Конго. Фото:╘ В.Слётов  
 
Включения флюорита в топазе.Зарождение центров роста флюорита происходило на поверхности растущих граней кристалла топаза.
Видны формы совместного одновременного роста кристаллов-включений и "кристалла-хозяина". Волынь, Украина. Фото: ╘ Михаил Лейкум.
 
 
Гематит и гётит в агате. Ширина поля 2см. Монголия. Видны формы совместного одновременного роста включений со слоями халцедона.Фото:╘ В.Слётов  
 
Эпитаксическое нарастание халькопирита на скелетных кристаллах галенита и на тетраэдрите. Образец 6 см. Рудник 2-й Советский, Дальнегорск, Приморье. Фото: ╘ Русские минералы (www.rusmineral.ru)  

Рутил на гематите, эпитаксическое нарастание.Образец 3 см. Бразилия (Novo Horizonte, Bahia). Фото: ╘ Русские минералы (rusmineral.ru)


Эпитаксически ориентированное нарастание кристаллов рутила на гематите. Из альпийских жил Сен-Готард, Швейцария. Образец: Минералогический музей им. А.Е.Ферсмана (К-1212. И. Балашев, 1919)

 

 
 
Барит. Ориентированное зарождение и рост групп кристаллов позднего барита в открытой трещине на затравках из раннего барита, выполняющего прожилки среди джаспероида. Образец 10см., Кадамджай. (Аналогично случаю, описанному для кварца с ╚белой полосой╩, см.: Леммлейн Г.Г. О происхождении плоских кварцев с ╚белой полосой╩, в кн.: Вопросы минералогии, геохимии и петрографии. М., 1946). Фото:╘ В.Слётов  
 

Апатит, турмалин

Призматический кристалл тёмно-зелёного турмалина, обрастаемый и захватываемый розовым апатитом. Наглядный пример обрастания и захвата кристаллов одного минерала растущим кристаллом другого минерала; именно таким путём приоисходит образование большинства видов включений. Интересный факт: захват гранями растущего кристалла препятствий происходит избирательно, - одни частицы захватываются, а другие отталкиваются.

 
Апатит (стронциоапатит) и турмалин, 5.2 см. Пакистан (Shengus, Haramosh Mts., Skardu District, Baltistan). Фото: Robert Lavinsky, источник: GeoWiki
Эммонсит, Мексика

1. Эммонсит, псевдогеликтиты. Не исключена биологическая матрица. Изображение шириной 3 мм. Моктесума, Сонора, Мексика

Карминит, псевдосталактиты со скородитом

2. Карминит, псевдосталактиты из игольчатых кристаллов со скородитом (на фото перевёрнуты). Изображение шириной 8 мм. Португалия

 
Зарождение и рост кристаллов и их агрегатов на ориентирующем субстрате: 1. Эммонсит, псевдогеликтиты. 2. Карминит, псевдосталактиты
Образцы и фото: Christian Rewitzer (Германия). И
сточник: энциклопедия GeoWiki
 
 

 

 
Автоэпитаксия датолита, 4 см . Дальнегорск, Приморский край. Фото: ╘ Б.З. Кантор. Эпитаксия: закономерно ориентированное нарастание кристаллов касситерита на уплощённый кристалл танталита. Рудник  Крузейру, шт. Минас-Жерайс, Бразилия (Cruzeiro Mine, MG, Brazil). Фото: В.Левицкий  

 ╘ mindraw.web.ru, Copyright 2006-2015. При цитировании гиперссылка на сайт: http://mindraw.web.ru обязательна

К началу раздела

Home/На Главную

  Rambler's Top100