Морфология и онтогения минеральных агрегатов

Формы зарождения и роста кристаллов и минеральных агрегатов

     В этом разделе показаны лишь некоторые из многих примеров тех признаков, которые, сохранившись в строении кристаллов и минеральных агрегатов, запечатлели процесс их роста и могут указывать на те или иные условия, при которых зарождалась и протекала кристаллизация. По соображениям прежде всего наглядности выбраны те из них, которые можно наблюдать и выразитель но показать на макруровне.
     Для онтогении минералов, как науки исторического плана, базирующейся на реконструкции явлений и процессов по сохранившимся свидетельствам о них в деталях строения индивидов и агрегатов, черезвычайно важны морфологические признаки, по которым можно судить об условиях, истории зарождения и роста, последовательности кристаллизации минералов и тд. - признаки, «записанные», по Д.П.Григорьеву (1961), как на самих кристаллах (на поверхности граней, индукционных и иных поверхностях соприкосновения минеральных зёрен и многое другое), так и во внутренней «анатомии» кристаллов. При внимательном изучении и анализе признаки эти служат важнейшим источником генетической информации. Поскольку минералы растут поверхностью образуемых ими физических тел, то в особенностях поверхностей, эти тела ограничивающих, прежде прочего и фиксируется информация об условиях роста. А исходя из того, что, как было особо подчеркнуто Д.П. Григорьевым, «весь объём кристалла, любой его участок, был когда-то его поверхностью», - строение (как вешнее, так и внутреннее) самого кристалла является основным источником информации о его генезисе.
     Эпитаксия - закономерное нарастание кристаллов одного минерала на кристаллы другого. Эпитаксия происходит таким образом, чтобы суммарная энергия границы, состоящей из участков подложка-кристалл, кристалл-среда и подложка-среда, была минимальной. Собственно эпитаксические сростки возникают, когда один минерал нарастает на уже образованный кристалл другого минерала. Таким образом оба кристалла образуются в разное время. Примером эпитаксических сростков являются нарастания альбита на микроклин, часто встречающиеся в пегматитах. Если один кристалл образует вростки в другом, то такие образования принято называть эндотаксическими. Визуально закономерность нарастания наблюдается в результате совпадения или близости определённых плоскостей в кристаллических решетках минералов.
     Автоэпитаксия (гомоэпитаксия) - процесс ориентированного наращивания кристаллического вещества, одинакового по структуре и не отличающегося химически (или отличающегося незначительно) от вещества подложки. Автоэпитаксией называется процесс ориентированного нарастания вещества на своем монокристалле. В широком смысле этот термин эквивалентен обычному росту монокристаллов, однако если образующиеся при автоэпитаксии слои обладают иными свойствами по сравнению с кристаллом-затравкой, то понятия автоэпитаксии и продолжение роста монокристалла не являются тождественными. Изучение автоэпитаксии интересно потому, что она является наиболее распространенным видом кристаллизации.
     Эта страничка не претендует на полноту освещения вопроса, который неоднократно рассматривался в специальных исследованиях. Явления зарождения и роста кристаллов достаточно глубоко и разносторонне изучены и освещены основателями и классиками российской минералогической школы, такими как А.В. Шубников, Г.Г.Леммлейн, И.И.Шафрановский, Д.П.Григорьев, Ю.М.Дымков, В.А.Попов и др. A.M.Асхабов внёс значительный вклад в проблему генетической интерпретации характеристик роста кристаллов и в раскрытие закономерностей и условий природного кристаллообразования.
     Содержание этого раздела ограничено более скромной задачей - показать занятные и наглядные  примеры лишь некоторых из многих проявлений процессов природного роста кристаллов.

Рутил на гематите, эпитаксическое нарастание.Образец 3 см. Бразилия (Novo Horizonte, Bahia). Фото: © Русские минералы (rusmineral.ru)

Эпитаксически ориентированное нарастание кристаллов рутила на гематите. Из альпийских жил Сен-Готард, Швейцария. Образец: Минералогический музей им. А.Е.Ферсмана (К-1212. И. Балашев, 1919)

Призматический кристалл тёмно-зелёного турмалина, обрастаемый и захватываемый розовым апатитом. Наглядный пример обрастания и захвата кристаллов одного минерала растущим кристаллом другого минерала; именно таким путём приоисходит образование большинства видов включений. Интересный факт: захват гранями растущего кристалла препятствий происходит избирательно, - одни частицы захватываются, а другие отталкиваются.

Флюорит, блочно-мозаичный кристалл. Внешне, формально - антискелетный кристалл, а на самом деле - автоэпитаксия на фоне смены габитусных форм от октаэдра к кубу. С кальцитом на доломите. Китай (Shangbao Mine, Leiyang Co., Hengyang Prefecture, Hunan Province)

1. Эммонсит, псевдогеликтиты (?). Не исключена биологическая матрица. Изображение шириной 3 мм. Моктесума, Сонора, Мексика. Образец и фото: Christian Rewitzer (Германия).

2. Карминит, псевдосталактиты из игольчатых кристаллов со скородитом (на фото перевёрнуты). Изображение шириной 8 мм. Португалия. Образец и фото: Christian Rewitzer (Германия). Источник: энциклопедия GeoWiki